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SUM90N06-5m5P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
I D = 50 A
2.0
I D = 20 A
8
V DS = 15 V
1.7
V GS = 10 V
V DS = 30 V
6
4
2
0
V DS = 45 V
1.4
1.1
0. 8
0.5
0
17
34
51
6 8
8 5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
Q g - Total Gate Charge (nC)
On-Resistance vs. Junction Temperature
0. 8
T J - J u nction Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
10
1.0
0.1
0.01
0.001
150 °C
25 °C
0.2
- 0.4
- 1.0
- 1.6
- 2.2
I D = 5 mA
I D = 250 μ A
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
76
73
70
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Gate Charge
I D = 1 mA
100
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
150 °C
25 °C
67
64
61
5 8
10
1
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0 . 0 0 0 0 1
0.0001
0.001
0.01
0 . 1
1.0
www.vishay.com
4
T J - J u nction Temperat u re (°C)
Source-Drain Diode Forward Voltage
T A V (s)
Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Document Number: 69537
S-72506-Rev. A, 03-Dec-07
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